
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 299 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 630 mW
输入电容 60.0 pF
栅电荷 1.50 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.20 A
上升时间 4.7 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 630 mW
下降时间 4.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 630mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SC-88-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NTJS4405NT1 | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET的25 V , 1.2 A单N通道, SC- 88 Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: NTJS4405NT1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-363 N-Channel 1.2A 299mohms 60pF | 当前型号 | 小信号MOSFET的25 V , 1.2 A单N通道, SC- 88 Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 | 当前型号 | |
型号: NTJS4405NT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 N-Channel 25V 1.2A 299mohms | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,25V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | NTJS4405NT1和NTJS4405NT1G的区别 | |
型号: NTJS4405NT4 品牌: 安森美 封装: SOT-363 N-Channel 25V 1.2A 299mΩ 60pF | 类似代替 | 小信号MOSFET的25 V , 1.2 A单N通道, SC- 88 Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 | NTJS4405NT1和NTJS4405NT4的区别 | |
型号: NTJS4405NT4G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 N-Channel 25V 1.2A 299mΩ 60pF | 功能相似 | 小信号MOSFET的25 V , 1.2 A单N通道, SC- 88 Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N−Channel, SC−88 | NTJS4405NT1和NTJS4405NT4G的区别 |