KSD2012GTU
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
频率 3 MHz
针脚数 3
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
额定功率Max 25 W
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 2.54 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSD2012GTU | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装 | 搜索库存 |