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KSD2012GTU

KSD2012GTU

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装

功率 NPN ,Fairchild Semiconductor

### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor

双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


欧时:
ON Semiconductor KSD2012GTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 3引脚 TO-220F封装


立创商城:
KSD2012GTU


得捷:
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 150 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R


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Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


KSD2012GTU中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

针脚数 3

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

额定功率Max 25 W

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 2.54 mm

高度 15.87 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSD2012GTU引脚图与封装图
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