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IRLS3813TRLPBF

IRLS3813TRLPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 160A(Tc) 195W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 30V 247A D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK


立创商城:
IRLS3813TRLPBF


贸泽:
MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.35 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 247A 3-Pin D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IRLS3813TRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-CH

耗散功率 195 W

阈值电压 2.35 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 247A

上升时间 202 ns

输入电容Ciss 8020pF @25VVds

下降时间 102 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRLS3813TRLPBF引脚图与封装图
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