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NST3904DP6T5G

NST3904DP6T5G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NST3904DP6T5G  双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

The is a dual Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package, designed for general-purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, it is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.

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100 to 300 hFE
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* Reduces board space and component count
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Halogen-free
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-55 to 150°C Junction temperature range
NST3904DP6T5G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定功率 0.35 W

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 420 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 40 @0.1mA, 1V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 420 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963-6

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.37 mm

封装 SOT-963-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

NST3904DP6T5G引脚图与封装图
NST3904DP6T5G引脚图

NST3904DP6T5G引脚图

NST3904DP6T5G封装焊盘图

NST3904DP6T5G封装焊盘图

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NST3904DP6T5G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NST3904DP6T5G  双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963 搜索库存