PBSS5220V,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5220V,115中文资料参数规格
技术参数
频率 185 MHz
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 155 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 220 @1mA, 2V
额定功率Max 900 mW
直流电流增益hFE 495
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5220V,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5220V,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5220V,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 20V 2A | 搜索库存 |
替代型号PBSS5220V,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5220V,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 PNP 900mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 20V 2A | 当前型号 |
| 型号： PBSS5220V 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 20 V ，2 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 2 A PNP low VCEsat BISS transistor | PBSS5220V,115和PBSS5220V的区别 |