PBSS4140V,115

Nexperia 安世分立器件

Nexperia PBSS4140V,115 , NPN 低饱和度双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装

低饱和电压 NPN ，

一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

欧时:
Nexperia PBSS4140V,115 , NPN 低饱和度双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS BISS TAPE-7

PBSS4140V,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1200 mW

最小电流放大倍数hFE 75

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SSmini-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SSmini-6

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

PBSS4140V,115引脚图与封装图

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PBSS4140V,115	Nexperia 安世	Nexperia PBSS4140V,115 , NPN 低饱和度双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装	搜索库存