NTB75N06LT4
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTB75N06LT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 75.0 A
耗散功率 2.4 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 265 ns
输入电容Ciss 4370pF @25VVds
耗散功率Max 2.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTB75N06LT4引脚图与封装图
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在线购买NTB75N06LT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTB75N06LT4 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 75安培， 60伏特，逻辑电平 POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL | 搜索库存 |
替代型号NTB75N06LT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTB75N06LT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： D²Pak 60V 75A | 当前型号 | 功率MOSFET 75安培， 60伏特，逻辑电平 POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL | 当前型号 |
| 型号： NTB75N06L 品牌： 安森美 封装： TO-263 75A 4.51nF | 完全替代 | 75A,60V功率MOSFET | NTB75N06LT4和NTB75N06L的区别 |
| 型号： NTB75N06LT4G 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 75A 11mΩ 4.51nF | 完全替代 | 60V,75A,N沟道MOSFET | NTB75N06LT4和NTB75N06LT4G的区别 |
| 型号： NTB75N06LG 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 75A 11mΩ 4.51nF | 类似代替 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | NTB75N06LT4和NTB75N06LG的区别 |