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HAT1043M02

HAT1043M02

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HITACHI 日立 电子元器件分类

HAT1043M02 P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低导通电阻 低驱动电流

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.055Ω @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Features • Low on-resistance • Low drive current • High density mounting • 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source 描述与应用| •低导通电阻 •低驱动电流 •高密度安装 •2.5 V门驱动装置可以驱动从3 V源


HAT1043M02中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-163

外形尺寸

封装 SOT-163

其他

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -20V

最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 12V

最大漏极电流IdDrain Current -4.4A

源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.055Ω @-3A,-4.5V

开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.4V

耗散功率PdPower Dissipation 2W

规格书PDF __

HAT1043M02引脚图与封装图
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HAT1043M02 HITACHI 日立 HAT1043M02 P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低导通电阻 低驱动电流 搜索库存