JANTXV2N6766
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Microsemi
美高森美
分立器件
JANTXV2N6766中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 200 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JANTXV2N6766引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6766
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6766 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6766
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6766 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.83°C/W | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | 当前型号 |
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