IRF6717MTRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF6717MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 96 W
针脚数 5
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 6750pF @13VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 96W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET-MX
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MX
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MultiPhase SyncFET, HotSwap
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF6717MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6717MTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6717MTRPBF | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 25 V, 950 µohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号IRF6717MTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6717MTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET-MX N-Channel 25V 38A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 25 V, 950 µohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 |
| 型号： IRF6717MTR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET N-CH 25V 38A | 功能相似 | DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF6717MTRPBF和IRF6717MTR1PBF的区别 |