额定功率 2.8 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.01 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1543pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 3X3-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 3X3-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Load Switch High Side, Battery Protection, Load Switch Low Side, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 | 
|---|---|---|---|
| IRFHM9331TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFHM9331TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V | 搜索库存 | 
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 | 
|---|---|---|---|---|
  |  型号: IRFHM9331TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL P-Channel 30V 11A  |  当前型号  |  INFINEON IRFHM9331TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V  |  当前型号  | 
  |  型号: IRFHM9331TR2PBF 品牌: 英飞凌 封装: PQFN P-CH 30V 11A  |  类似代替  |  PQFN P-CH 30V 11A  |  IRFHM9331TRPBF和IRFHM9331TR2PBF的区别 | 
  |  型号: SI7121DN-T1-GE3 品牌: 威世 封装: PowerPAK-1212-8 P-Channel -30V -16A  |  功能相似  |  P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor  |  IRFHM9331TRPBF和SI7121DN-T1-GE3的区别 | 
