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IRFZ44VPBF

IRFZ44VPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRFZ44VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装


立创商城:
N沟道 60V 55A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 16.5 Milliohms; ID 55A; TO-220AB; PD 115W; -55de


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRFZ44VPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB


IRFZ44VPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 115 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 4 V

输入电容 1812pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 55A

上升时间 97 ns

输入电容Ciss 1812pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 57 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFZ44VPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFZ44VPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFZ44VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFZ44VPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFZ44VPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 55A

当前型号

INFINEON  IRFZ44VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFZ48VPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 72A

类似代替

INFINEON  IRFZ48VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

IRFZ44VPBF和IRFZ48VPBF的区别

型号: STP55NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFZ44VPBF和STP55NF06的区别