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IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFS4310ZTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 250 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 127A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 6860pF @50VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 57 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.3 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRFS4310ZTRLPBF引脚图与封装图
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFS4310ZTRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 127A

当前型号

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon

当前型号

型号: IRFS4310ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 100V 127A

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IRFS4310ZTRLPBF和IRFS4310ZPBF的区别

型号: AUIRFS4310Z

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 100V 127A

类似代替

D2PAK N-CH 100V 127A

IRFS4310ZTRLPBF和AUIRFS4310Z的区别

型号: AUIRFS4310ZTRL

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 127A

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 V

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