PBSS4350SS,115
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Nexperia
安世
分立器件
PBSS4350SS,115中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.2 W
针脚数 8
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
PBSS4350SS,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS4350SS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4350SS,115 | Nexperia 安世 | NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装 | 搜索库存 |
替代型号PBSS4350SS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4350SS,115 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装 | 当前型号 |
| 型号： PBSS4350SS 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | PBSS4350SS,115和PBSS4350SS的区别 |