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2SA1122
HITACHI 日立 电子元器件分类

2SA1122 PNP三极管 -55V -100mA/-0.1A 250~500 -500mV/-0.5V SOT-23/MPAK marking/标记 CD 低频放大器

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -55V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -55V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 160~320 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Application Low frequency amplifier 描述与应用| 应用 低频放大器


Win Source:
Silicon PNP Epitaxial


2SA1122中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO -55V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO -55V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −100mA/-0.1A

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 250~500

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage −500mV/-0.5V

耗散功率PcPoWer Dissipation 150mW/0.15W

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2SA1122引脚图与封装图
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2SA1122 HITACHI 日立 2SA1122 PNP三极管 -55V -100mA/-0.1A 250~500 -500mV/-0.5V SOT-23/MPAK marking/标记 CD 低频放大器 搜索库存
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型号: 2SA1122

品牌: HITACHI 日立

封装:

当前型号

2SA1122 PNP三极管 -55V -100mA/-0.1A 250~500 -500mV/-0.5V SOT-23/MPAK marking/标记 CD 低频放大器

当前型号

型号: BCW66GLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 800mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE

2SA1122和BCW66GLT1G的区别

型号: BCR133

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23/SC-59 NPN

功能相似

InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

2SA1122和BCR133的区别

型号: KSA812

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

低频放大器 Low Frequency Amplifier

2SA1122和KSA812的区别