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BCW30T
ON Semiconductor 安森美 电子元器件分类

BCW30T PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 215~500 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 C2

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 215~500 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose transistor 描述与应用| 通用晶体管


BCW30T中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW30T引脚图与封装图
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BCW30T ON Semiconductor 安森美 BCW30T PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 215~500 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 C2 搜索库存