PN4917
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 150 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅