PN4917
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
PN4917中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 625 mW
增益频宽积 450 MHz
最小电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PN4917引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PN4917
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PN4917 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW | 当前型号 |
| 型号： PN4917TRE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 30V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | PN4917和PN4917TRE的区别 |
| 型号： PN4917TRELEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 30V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | PN4917和PN4917TRELEADFREE的区别 |
