NSV40201LT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSV40201LT1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 460 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 370 @500mA, 2V
额定功率Max 460 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 540 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NSV40201LT1G引脚图与封装图
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在线购买NSV40201LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSV40201LT1G | ON Semiconductor 安森美 | NSV40201 系列 40 V 2 A 460 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT−23 | 搜索库存 |
替代型号NSV40201LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NSV40201LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 540mW | 当前型号 | NSV40201 系列 40 V 2 A 460 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT−23 | 当前型号 |
| 型号： NSS40201LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 540mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NSS40201LT1G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 540 mW, 4 A, 370 hFE | NSV40201LT1G和NSS40201LT1G的区别 |