NSVJ2394SA3T1G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 15 V
击穿电压 15 V
输入电容Ciss 10pF @5VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
封装 SC-59-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 AM Tuner RF Amplifier, Low Noise Amplifier
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NSVJ2394SA3T1G | ON Semiconductor 安森美 | NSVJ2394SA3: N 沟道 JFET,15 V,10 至 32 mA,38 mS | 搜索库存 |