FDD3680

ON Semiconductor 安森美电子元器件分类

FDD3680 系列 100 V 46 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252

N-Channel 100V 25A Ta 68W Ta Surface Mount TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A TO252

立创商城:
FDD3680

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

FDD3680中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 1735pF @50VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDD3680引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FDD3680

型号	制造商	描述	购买
FDD3680	ON Semiconductor 安森美	FDD3680 系列 100 V 46 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252	搜索库存