PBSS4160U,115
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
PBSS4160U,115中文资料参数规格
技术参数
频率 220 MHz
额定功率 0.25 W
针脚数 3
耗散功率 415 mW
增益频宽积 220 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
额定功率Max 415 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 415 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 信号处理, 车用, 电机驱动与控制, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
PBSS4160U,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBSS4160U,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4160U,115 | Nexperia 安世 | Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装 | 搜索库存 |
替代型号PBSS4160U,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4160U,115 品牌： Nexperia 安世 封装： SOT-323-3 | 当前型号 | Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装 | 当前型号 |
| 型号： BZX84-B12,215 品牌： 安世 封装： TO-236AB | 功能相似 | Nexperia BZX84-B12,215 单路 齐纳二极管, 12V 2% 250 mW, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | PBSS4160U,115和BZX84-B12,215的区别 |
| 型号： PBSS4160U 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | PBSS4160U,115和PBSS4160U的区别 |