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IRFI4020H-117P

IRFI4020H-117P

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRFI4020H-117P  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 200 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V

数字音频 MOSFET,

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。


得捷:
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP


立创商城:
2个N沟道 200V 9.1A


欧时:
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 9.1 A, 0.08 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 200V; 9.1A; 21W; TO220FP-5


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IRFI4020H-117P  MOSFET Transistor, N Channel, 9.1 A, 200 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP


IRFI4020H-117P中文资料参数规格
技术参数

额定功率 21 W

针脚数 5

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 21 W

阈值电压 4.9 V

输入电容 1240 pF

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.1A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1240pF @25VVds

额定功率Max 21 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 21000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 TO-220-5

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 音频, Audio, 电源管理, Class D Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFI4020H-117P引脚图与封装图
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