NSR10F20NXT5G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSR10F20NXT5G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
正向电压 450mV @1A
耗散功率 1.47 W
热阻 228℃/W RθJA
正向电流 1000 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 18 A
正向电压Max 450mV @1A
正向电流Max 1 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 1470 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DSN-2
外形尺寸
封装 DSN-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NSR10F20NXT5G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSR10F20NXT5G | ON Semiconductor 安森美 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | 搜索库存 |
替代型号NSR10F20NXT5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： NSR10F20NXT5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DSN | 当前型号 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | 当前型号 |