频率 180 MHz
额定功率 1.35 W
针脚数 4
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 63 @5mA, 2V
额定功率Max 960 mW
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 960 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, 工业, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BCP56,115 | Nexperia 安世 | Nexperia BCP56,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 180 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BCP56,115 品牌: Nexperia 安世 封装: | 当前型号 | Nexperia BCP56,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 180 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装 | 当前型号 | |
型号: BCP56-10,115 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | 通用 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia | BCP56,115和BCP56-10,115的区别 | |
型号: BCP56-10,135 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | TRANS NPN 80V 1A SOT223 | BCP56,115和BCP56-10,135的区别 | |
型号: BCP56T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56T1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE | BCP56,115和BCP56T1G的区别 |