针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2 V
输入电容 23 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 150 mA
输入电容Ciss 40pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, |Power Management, , 便携式器材, 计算机和计算机周边, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSS123,215 | Nexperia 安世 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BSS123,215 品牌: Nexperia 安世 封装: | 当前型号 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | 当前型号 | |
型号: 2N7002,215 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BSS123,215和2N7002,215的区别 | |
型号: BST82,235 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | N沟道 VDS=100V VGS=2V ID=190mA P=830mW | BSS123,215和BST82,235的区别 | |
型号: BSS123TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω | 功能相似 | DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V | BSS123,215和BSS123TA的区别 |