IRFBA90N20DPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRFBA90N20DPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 650 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-CH
耗散功率 650 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 98A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 6080pF @25VVds
下降时间 77 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16.5 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRFBA90N20DPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFBA90N20DPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBA90N20DPBF | Infineon 英飞凌 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
替代型号IRFBA90N20DPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBA90N20DPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-CH 200V 98A | 当前型号 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 |
| 型号： IRFBA90N20D 品牌： 英飞凌 封装： TO-273AA N-CH 200V 98A | 功能相似 | TO-273AA N-CH 200V 98A | IRFBA90N20DPBF和IRFBA90N20D的区别 |