NSVMSB1218A-RT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSVMSB1218A-RT1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NSVMSB1218A-RT1G引脚图与封装图
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| NSVMSB1218A-RT1G | ON Semiconductor 安森美 | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SC-70 T/R | 搜索库存 |