S34ML01G200BHI000
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Cypress Semiconductor
赛普拉斯
主动器件
S34ML01G200BHI000中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 2.70V min
位数 8
存取时间 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.3 V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 BGA-63
外形尺寸
封装 BGA-63
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
S34ML01G200BHI000引脚图与封装图 
S34ML01G200BHI000引脚图
S34ML01G200BHI000封装图
S34ML01G200BHI000封装焊盘图
在线购买S34ML01G200BHI000
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| S34ML01G200BHI000 | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | S34ML01G2 系列 1 Gb 128M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63 | 搜索库存 |
替代型号S34ML01G200BHI000
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： S34ML01G200BHI000 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 63-VFBGA 2.7V | 当前型号 | S34ML01G2 系列 1 Gb 128M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63 | 当前型号 |
| 型号： S34ML01G200TFI000 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP-I 128000000B 2.7V | 类似代替 | S34ML01G2 系列 1 Gb 128M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48 | S34ML01G200BHI000和S34ML01G200TFI000的区别 |
| 型号： S34ML01G200BHI003 品牌： 赛普拉斯 封装： 63-VFBGA | 功能相似 | SLC NAND Flash Parallel 3V 1G-bit 128M x 8Bit 63Pin BGA T/R | S34ML01G200BHI000和S34ML01G200BHI003的区别 |