锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

NSS60601MZ4T1G

NSS60601MZ4T1G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223


得捷:
TRANS NPN 60V 6A SOT223


欧时:
NPN 60V/6A LOW VCESAT


立创商城:
NSS60601MZ4T1G


e络盟:
单晶体管 双极, 低VCESat, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  Bipolar BJT Single Transistor, Low VCE Sat, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223


Win Source:
TRANS NPN 60V 6A SOT-223


NSS60601MZ4T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 710 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

NSS60601MZ4T1G引脚图与封装图
NSS60601MZ4T1G引脚图

NSS60601MZ4T1G引脚图

NSS60601MZ4T1G封装焊盘图

NSS60601MZ4T1G封装焊盘图

在线购买NSS60601MZ4T1G
型号 制造商 描述 购买
NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE 搜索库存
替代型号NSS60601MZ4T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NSS60601MZ4T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-223 NPN 2000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE

当前型号

型号: NSS60601MZ4T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 2000mW

类似代替

60 V , 6.0 A,低VCE ( sat)的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCEsat NPN Transistor

NSS60601MZ4T1G和NSS60601MZ4T3G的区别

型号: NSV60601MZ4T3G

品牌: 安森美

封装: TO-261-4 NPN 2000mW

类似代替

60 V , 6.0 A,低VCE ( sat)的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCEsat NPN Transistor

NSS60601MZ4T1G和NSV60601MZ4T3G的区别

型号: FZT851TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 NPN 60V 6A 3000mW

功能相似

FZT851TA 编带

NSS60601MZ4T1G和FZT851TA的区别