2N7002L
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N7002L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 0.2 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 12.8 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.115A
输入电容Ciss 50pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2N7002L引脚图与封装图
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在线购买2N7002L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002L | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 | 搜索库存 |
替代型号2N7002L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002L 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 N-CH 60V 0.115A 7.5Ω 2.5V | 当前型号 | 小信号MOSFET 60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002ET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002L和2N7002ET1G的区别 |
| 型号： 2N7002LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms 50pF | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor | 2N7002L和2N7002LT3G的区别 |
| 型号： 2V7002LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 0.115A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 2N7002L和2V7002LT1G的区别 |