MJD45H11G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MJD45H11G中文资料参数规格
技术参数
频率 90 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 6.25℃/W RθJC
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD45H11G引脚图与封装图 
MJD45H11G引脚图
MJD45H11G封装焊盘图
在线购买MJD45H11G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD45H11G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJD45H11G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD45H11G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK PNP -80V -8A 1750mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJD45H11T4 品牌： 安森美 封装： TO-252/DPAK -80V -8A | 完全替代 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | MJD45H11G和MJD45H11T4的区别 |
| 型号： MJD45H11RL 品牌： 安森美 封装： DPAK PNP 80V 8A | 完全替代 | 硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS | MJD45H11G和MJD45H11RL的区别 |
| 型号： MJD45H11T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK PNP -80V -8A 1750mW | 类似代替 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 | MJD45H11G和MJD45H11T4G的区别 |