NJW1302G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NJW1302G中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 75
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 45
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 High-fidelity consumer audio products, 音频, 声音和视频
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
NJW1302G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NJW1302G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NJW1302G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号NJW1302G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NJW1302G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3P-3 PNP 200000mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： NJW0302G 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 PNP 150000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NJW0302G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 30 MHz, 150 W, -15 A, 75 hFE | NJW1302G和NJW0302G的区别 |