2N5551TA
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N5551TA中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
针脚数 3
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 工业, 多媒体, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5551TA引脚图与封装图
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在线购买2N5551TA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5551TA | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor 2N5551TA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 搜索库存 |
替代型号2N5551TA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5551TA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 当前型号 | ON Semiconductor 2N5551TA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 当前型号 |
| 型号： 2N5551BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | ON Semiconductor 2N5551BU , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N5551TA和2N5551BU的区别 |
| 型号： 2N5551TF 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 类似代替 | 小信号 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5551TA和2N5551TF的区别 |
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