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RT0805BRE0743K2L

RT0805BRE0743K2L

数据手册.pdf
Yageo 国巨 被动器件

43.2K_0.1%_0805_薄膜高精密

43.2 kOhms ±0.1% 0.125W,1/8W 芯片 0805(2012 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 43.2K OHM 0.1% 1/8W 0805


艾睿:
Res Thin Film 0805 43.2K Ohm 0.1% 0.125W1/8W ±50ppm/°C Epoxy Pad SMD T/R


立创商城:
43.2kΩ ±0.1% 125mW


RT0805BRE0743K2L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定功率 0.125 W

产品系列 RT

电阻 43.2 KΩ

阻值偏差 ±0.1 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.50 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Paper & reel

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

RT0805BRE0743K2L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RT0805BRE0743K2L Yageo 国巨 43.2K_0.1%_0805_薄膜高精密 搜索库存
替代型号RT0805BRE0743K2L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RT0805BRE0743K2L

品牌: Yageo 国巨

封装: 0805 43.2kΩ ±0.1% 125mW

当前型号

43.2K_0.1%_0805_薄膜高精密

当前型号

型号: 9T08052A4322BBHFT

品牌: 国巨

封装: 0805 43.2kΩ ±0.1% 125mW 150V

完全替代

RES SMD 43.2KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

RT0805BRE0743K2L和9T08052A4322BBHFT的区别