NTMFS4937NT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTMFS4937NT1G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 1.63 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
输入电容Ciss 2516pF @15VVds
额定功率Max 920 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 920mW Ta, 43W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-FL-8
外形尺寸
封装 SO-FL-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Industrial, 计算机和计算机周边, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
NTMFS4937NT1G引脚图与封装图
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在线购买NTMFS4937NT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS4937NT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NTMFS4937NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.63 V | 搜索库存 |
替代型号NTMFS4937NT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTMFS4937NT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SO-8 N-Channel 30V 30A | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NTMFS4937NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.63 V | 当前型号 |
| 型号： NTMFS4937NT3G 品牌： 安森美 封装： SO-8FL N-CH 30V 30A | 功能相似 | 功率MOSFET的30 V ， 70 A单N沟道， SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 70 A, Single N−Channel, SO−8 FL | NTMFS4937NT1G和NTMFS4937NT3G的区别 |