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NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

### IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 1350V 30A TO247


欧时:
### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。### IGBT 分立,On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


e络盟:
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 3-Pin TO-247 T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


NGTB30N135IHR1WG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 394 W

击穿电压集电极-发射极 1350 V

额定功率Max 394 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 394 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.25 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.4 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

NGTB30N135IHR1WG引脚图与封装图
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NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor 安森美 IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存