
耗散功率 203W Tc
输入电容 3967 pF
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 145 ns
输入电容Ciss 4901pF @25VVds
额定功率Max 203 W
下降时间 92 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 203W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUK9606-40B,118 | Nexperia 安世 | N沟道 VDS=40V VGS=±15V ID=75A P=203W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUK9606-40B,118 品牌: Nexperia 安世 封装: D2PAK | 当前型号 | N沟道 VDS=40V VGS=±15V ID=75A P=203W | 当前型号 | |
型号: PHB101NQ04T,118 品牌: 恩智浦 封装: D2PAK N-Channel 40V 75A | 功能相似 | D2PAK N-CH 40V 75A | BUK9606-40B,118和PHB101NQ04T,118的区别 | |
型号: BUK9606-40B 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | BUK9606-40B,118和BUK9606-40B的区别 | |
型号: PHB101NQ04T 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET | BUK9606-40B,118和PHB101NQ04T的区别 |