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NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NGTB50N60FWG  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。


立创商城:
NGTB50N60FWG


得捷:
IGBT 600V 100A 223W TO247


欧时:
ON Semiconductor NGTB50N60FWG N沟道 IGBT, Vce=600 V, 100 A, 1MHz, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube


富昌:
NGTB50N16FWG 600 V 50 A IGBT 法兰安装 - TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
IGBT Single Transistor, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3


NGTB50N60FWG中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

耗散功率 223 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 77 ns

额定功率Max 223 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 223 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.25 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.4 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2017/01/12

海关信息

ECCN代码 EAR99

NGTB50N60FWG引脚图与封装图
NGTB50N60FWG引脚图

NGTB50N60FWG引脚图

NGTB50N60FWG封装焊盘图

NGTB50N60FWG封装焊盘图

在线购买NGTB50N60FWG
型号 制造商 描述 购买
NGTB50N60FWG ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NGTB50N60FWG  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 搜索库存
替代型号NGTB50N60FWG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NGTB50N60FWG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-247-3 223000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  NGTB50N60FWG  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

当前型号

型号: IRG4PC50FDPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-247AC 200000mW

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