NSS60601MZ4T3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSS60601MZ4T3G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 360
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
NSS60601MZ4T3G引脚图与封装图
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在线购买NSS60601MZ4T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor 安森美 | 60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCEsat NPN Transistor | 搜索库存 |
替代型号NSS60601MZ4T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NSS60601MZ4T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 2000mW | 当前型号 | 60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的NPN晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCEsat NPN Transistor | 当前型号 |
| 型号： NSS60601MZ4T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NSS60601MZ4T1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE | NSS60601MZ4T3G和NSS60601MZ4T1G的区别 |
| 型号： NSV60601MZ4T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223-4 NPN 2000mW | 功能相似 | PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | NSS60601MZ4T3G和NSV60601MZ4T1G的区别 |