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MCR100JZHFLR430

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

2512 0.43Ω ±1% 1W ±250ppm/℃

430 mOhms ±1% 1W 芯片 2512（6432 公制） 汽车级AEC-Q200 厚膜


得捷:
RES 0.43 OHM 1% 1W 2512


安富利:
RES LOW RESISTANCE 2512 0.43 OHM 1W 1% SMD


MCR100JZHFLR430中文资料参数规格
MCR100JZHFLR430引脚图与封装图
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