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NJD35N04G
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NJD35N04G.  双极性晶体管, NPN, 350V

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK


欧时:
ON Semiconductor NJD35N04G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=350 V, HFE=300, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
4.0 A,350 V,NPN 达林顿双极功率晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 350 V, 90 MHz, 45 W, 4 A, 300 hFE


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Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube


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Trans Darlington NPN 350V 4A 3-Pin2+Tab DPAK Rail


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Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 350 V, 90 MHz, 45 W, 4 A, 2000 hFE


DeviceMart:
TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK


NJD35N04G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 45 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 2000 @2A, 2V

额定功率Max 45 W

直流电流增益hFE 2000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 90MHz Min

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Switching Regulators, Light Ballast, Photo Flash, Motor Controls, Electronic Ignition

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

NJD35N04G引脚图与封装图
NJD35N04G引脚图

NJD35N04G引脚图

NJD35N04G封装焊盘图

NJD35N04G封装焊盘图

在线购买NJD35N04G
型号 制造商 描述 购买
NJD35N04G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NJD35N04G.  双极性晶体管, NPN, 350V 搜索库存
替代型号NJD35N04G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NJD35N04G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK NPN 350V 4A 45000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  NJD35N04G.  双极性晶体管, NPN, 350V

当前型号

型号: NJD35N04T4G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 350V 4A 45000mW

完全替代

NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

NJD35N04G和NJD35N04T4G的区别

型号: NJVNJD35N04G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 45000mW

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型号: STD901T

品牌: 意法半导体

封装: DPAK-3 NPN 35000mW

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