NVMFD5877NLWFT3G

ON Semiconductor 安森美分立器件

60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 6A 3.2W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

立创商城:
NVMFD5877NLWFT3G

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

贸泽:
MOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin DFN T/R

NVMFD5877NLWFT3G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 N-CH

耗散功率 23 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 17A

输入电容Ciss 540pF @25VVds

额定功率Max 3.2 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

NVMFD5877NLWFT3G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买NVMFD5877NLWFT3G

型号	制造商	描述	购买
NVMFD5877NLWFT3G	ON Semiconductor 安森美	60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL	搜索库存

替代型号NVMFD5877NLWFT3G

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： NVMFD5877NLWFT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： 8-PowerTDFN N-CH 60V 17A	当前型号	60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL	当前型号
型号： NVMFD5877NLWFT1G 品牌：安森美封装： 8-PowerTDFN	完全替代	60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual NâChannel, Logic Level, Dual SO8FL	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLWFT1G的区别
型号： NVMFD5877NLT1G 品牌：安森美封装： DFN Dual N-Channel 60V 17A	类似代替	ON SEMICONDUCTOR NVMFD5877NLT1G Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V 新	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLT1G的区别
型号： NVMFD5877NLT3G 品牌：安森美封装： 8-PowerTDFN N-CH 60V 17A	类似代替	17A,60V,N沟道MOSFET	NVMFD5877NLWFT3G和NVMFD5877NLT3G的区别