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CW02B8K200JS70

CW02B8K200JS70

Vishay Semiconductor 威世 被动器件
CW02B8K200JS70中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 3.75 W

电阻 8.2 kΩ

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 350℃

温度系数 ±30 ppm/℃

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CW02B8K200JS70引脚图与封装图
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CW02B8K200JS70 Vishay Semiconductor 威世 Res Wirewound 8.2KΩ 5% 3W ±30ppm/℃ Ceramic Hi Temp Sil AXL Thru-Hole T/R 搜索库存