FDV302P

FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

得捷:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23

立创商城:
P沟道 25V 120mA

欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDV302P, 120 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 V