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9T12062A2211DAHFT

9T12062A2211DAHFT

数据手册.pdf
Yageo 国巨 被动器件

RES SMD 2.21KΩ 0.5% 0.125W1/8W 1206

2.21 kOhms ±0.5% 0.125W,1/8W 芯片 1206(3216 公制) 薄膜


得捷:
RES SMD 2.21K OHM 0.5% 1/8W 1206


9T12062A2211DAHFT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±0.5 %

额定功率 0.125 W

电阻 2.21 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.10 mm

宽度 1.60 mm

高度 500 µm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

9T12062A2211DAHFT引脚图与封装图
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9T12062A2211DAHFT Yageo 国巨 RES SMD 2.21KΩ 0.5% 0.125W1/8W 1206 搜索库存
替代型号9T12062A2211DAHFT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 9T12062A2211DAHFT

品牌: Yageo 国巨

封装: 1206 2.21kΩ ±0.5% 125mW

当前型号

RES SMD 2.21KΩ 0.5% 0.125W1/8W 1206

当前型号

型号: RT1206DRD072K21L

品牌: 国巨

封装: 1206 2.21kΩ 125mW ±0.5%

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