9T12062A19R1DBHFT
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Yageo
国巨
被动器件
9T12062A19R1DBHFT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
容差 ±0.5 %
额定功率 0.125 W
电阻 19.1 Ω
阻值偏差 ±0.5 %
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.10 mm
宽度 1.60 mm
高度 500 µm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 155℃
温度系数 ±100 ppm/℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
9T12062A19R1DBHFT引脚图与封装图
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在线购买9T12062A19R1DBHFT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 9T12062A19R1DBHFT | Yageo 国巨 | RES SMD 19.1Ω 0.5% 0.125W1/8W 1206 | 搜索库存 |
替代型号9T12062A19R1DBHFT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 9T12062A19R1DBHFT 品牌： Yageo 国巨 封装： 1206 19.1Ω ±0.5% 125mW | 当前型号 | RES SMD 19.1Ω 0.5% 0.125W1/8W 1206 | 当前型号 |
| 型号： RT1206DRE0719R1L 品牌： 国巨 封装： 1206 19.1Ω ±0.5% 125mW | 类似代替 | RES SMD 19.1Ω 0.5% 0.25W1/4W 1206 | 9T12062A19R1DBHFT和RT1206DRE0719R1L的区别 |