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9T08052A6201BAHFT

9T08052A6201BAHFT

数据手册.pdf
Yageo 国巨 电子元器件分类

RES SMD 6.2KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

6.2 kOhms ±0.1% 0.125W,1/8W 芯片 0805(2012 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 6.2K OHM 0.1% 1/8W 0805


9T08052A6201BAHFT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

容差 ±0.1 %

额定功率 0.125 W

电阻 6.2 kΩ

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 500 µm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

9T08052A6201BAHFT引脚图与封装图
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9T08052A6201BAHFT Yageo 国巨 RES SMD 6.2KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805 搜索库存
替代型号9T08052A6201BAHFT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 9T08052A6201BAHFT

品牌: Yageo 国巨

封装: 0805 6.2kΩ ±0.1% 125mW 150V

当前型号

RES SMD 6.2KΩ 0.1% 0.125W1/8W 0805

当前型号

型号: RT0805BRD076K2L

品牌: 国巨

封装: 0805 6.2kohms 125mW 0.1per

完全替代

薄膜电阻器

9T08052A6201BAHFT和RT0805BRD076K2L的区别