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9T06031A2150BAHFT

9T06031A2150BAHFT

数据手册.pdf
Yageo 国巨 被动器件

RES SMD 215Ω 0.1% 0.1W1/10W 0603

215 Ohms ±0.1% 0.1W,1/10W 芯片 0603(1608 公制) - 薄膜


得捷:
RES SMD 215 OHM 0.1% 1/10W 0603


9T06031A2150BAHFT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

容差 ±0.1 %

额定功率 0.1 W

电阻 215 Ω

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 800 µm

高度 450 µm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

9T06031A2150BAHFT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
9T06031A2150BAHFT Yageo 国巨 RES SMD 215Ω 0.1% 0.1W1/10W 0603 搜索库存
替代型号9T06031A2150BAHFT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 9T06031A2150BAHFT

品牌: Yageo 国巨

封装: 0603 215Ω ±0.1% 100mW

当前型号

RES SMD 215Ω 0.1% 0.1W1/10W 0603

当前型号

型号: RT0603BRD07215RL

品牌: 国巨

封装: 0603 215ohms 0.1per 100mW 50V

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