BD139
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
BD139中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 7.8 mm
宽度 2.7 mm
高度 10.8 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Portable Devices, Consumer Electronics, 消费电子产品, 便携式器材, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD139引脚图与封装图 
BD139引脚图
BD139封装图
BD139封装焊盘图
在线购买BD139
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD139 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS BD139 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE | 搜索库存 |
替代型号BD139
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD139 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS BD139 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE | 当前型号 |
| 型号： BD139-16 品牌： 意法半导体 封装： SOT-32 NPN 1250mW | 类似代替 | STMICROELECTRONICS BD139-16 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE | BD139和BD139-16的区别 |
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